플래시 메모리 (Flash Memory)

플래시 메모리 (Flash Memory)

 

소비 전원이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않는다. 지속적으로 전원이 공급되는 비휘발성 메모리. 블록 단위로 내용을 지울 수도 있고, 다시 프로그램 할 수 있다. EEPROM은 바이트 레벨에서 지울 수 있고, 수정할 수 있는데 플래시는 블록 단위로 수정 되기 때문에 속도가 빠르다. 종종 PC의 바이오스와 같은 제어 코드를 저장하는데 사용 된다.

 

NOR Flash

-       바이트나 워드 단위로 읽기 / 쓰기가 가능. 덮어쓰기와 지우기는 임의 접근 불가

-       읽기 속도는 빠르나, 데이터를 지우거나 덮어쓰기할 때 랜덤엑세스가 불가능해서 속도가 느림.

-       비싸다.

 

NAND Flash

-       페이지 단위로 읽기 / 쓰기가 가능하고, 해당 페이지를 지우거나 덮어쓰기를 하려면 모든 블록을 지워야 함.

-       크기가 작고, 저렴하다.

-       읽기는 느리나, 쓰기 / 지우기 속도는 빠름

 

http://www.terms.co.kr/flashmemory.htm

http://www.ntrexgo.com/archives/21862 참조